جمعه ۳۱ شهریور ۱۳۹۶ - Friday 22 September 2017
توضیحات توضیحات
کد خبر : 1468
تاریخ انتشار : چهارشنبه ۲۱ تیر ۱۳۹۶ - ۱۷:۰۷
76 بار بازدید

شرکت IBM ترانزیستوری حاوی نانولوله‌کربنی با ابعاد ۴۰ نانومتر ساخت

شرکت IBM ترانزیستوری از جنس نانولوله‌ کربنی ساخته که ابعاد آن در حدود 40 نانومتر است و عملکرد بهتری نسبت به همتایان سیلیکونی خود دارد. IBM به دنبال تجاری‌سازی و تولید انبوه آن است؛

۹۶۰۴۲۱-۲

شرکت IBM ترانزیستوری از جنس نانولوله‌ کربنی ساخته که ابعاد آن در حدود ۴۰ نانومتر است و عملکرد بهتری نسبت به همتایان سیلیکونی خود دارد. IBM به دنبال تجاری‌سازی و تولید انبوه آن است.
شرکت IBM اقدام به ساخت ترانزیستورهایی از جنس نانولوله کربنی کرده است که کوچکتر و سریع‌تر از ترازیستورهای سیلیکونی هستند. مدت‌هاست که پتانسیل بالای این ترانزیستورها شناسایی شده اما این اولین باری است که یک شرکت تجاری اقدام به ساخت این ترانزیستورها می‌کند. در حال حاضر IBM باید به دنبال تولید انبوه این ترانزیستورها باشد.
کار با نانولوله‌های کربنی همیشه چالش برانگیز بوده و ساخت ترانزیستور با استفاده از این مواد برای محققان شرکت IBM دشواری‌هایی به همراه داشته است. این گروه تحقیقاتی روش جدیدی ارائه کرده که با استفاده از آن می‌توان تماس‌های مورد نظر را روی ترانزیستور با استفاده از نانولوله‌ کربنی ایجاد کرد تا جریان به وسیله این تماس‌ها به داخل ترانزیستور وارد یا از آن خارج شود. آنها از مولیبدن برای ایجاد تماس استفاده کردند؛ چرا که این ماده می‌تواند به انتهای نانولوله‌ کربنی متصل شود. همچنین به این ساختار کبالت اضافه کردند، به طوری که اتصال در دمای پایین اتفاق بیافتد. با این کار می‌توان فاصله میان تماس‌ها را به حداقل رساند. برای انتقال جریان الکتریکی از یک تماس به تماس دیگر نیاز به چند سیم نانولوله ‌کربنی است. این گروه تحقیقاتی چند نانولوله ‌کربنی را نزدیک به هم روی هر ترانزیستور قرار دادند. در کل، ابعاد این ترانزیستور به ۴۰ نانومتر می‌رسد. آزمون‌های انجام شده نشان می‌دهد که این ترانزیستور سریع‌تر و کاراتر از ترانزیستورهای سیلیکونی است.
براساس نقشه راه بین‌المللی در حوزه نیمه‌هادی‌ها، ابعاد ترانزیستورها با تمام قطعات روی آنها باید طی یک دهه آینده به ۴۰ نانومتر برسد. این ترانزیستور نانولوله‌ کربنی فضای کمتری نسبت به همتایان سیلیکونی خود اشغال کرده و در عین حال عملکرد بهتری دارد.
این گروه نشان دادند که این ترانزیستور جدید امکان افزایش تراکم ترانزیستورها را فراهم کرده و جریان بالاتری نسبت به بهترین ترانزیستورهای رایج در بازار ایجاد می‌کند. در این فناوری از منبع نانولوله‌ کربنی نیمه‌هادی با خلوص بالا استفاده شده‌است.
نتایج این پروژه در نشریه Science به چاپ رسیده است.

نویسندگان :
چه امتیازی می دهید؟
5 / 0
[ 0 رای ]
ارسال نظر شما
انتشار یافته : ۰ در انتظار بررسی : 0
  • نظرات ارسال شده توسط شما، پس از تایید توسط مدیران سایت منتشر خواهد شد.
  • نظراتی که حاوی تهمت یا افترا باشد منتشر نخواهد شد.
  • نظراتی که به غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط با خبر باشد منتشر نخواهد شد.


توضیحات توضیحات توضیحات توضیحات توضیحات توضیحات توضیحات توضیحات توضیحات